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STB30NM50N

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數(shù)量:
 6300  
說明:
 MOSFET N-ch 500 Volt 27Amp Power MDmesh
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STB30NM50N-TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB圖片

STB30NM50N PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關閉延遲時間:115 ns
上升時間:20 ns
功率耗散:190 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:60 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:D2PAK
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.115 Ohms
漏極連續(xù)電流:27 A
閘/源擊穿電壓:+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是STB30NM50N的詳細信息,包括STB30NM50N廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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