色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > STB21NM60N

STB21NM60N

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: D2PAK
數量：: 5904
說明：: MOSFET N-Ch 600 V 0.19 Ohm 17 A 2nd Gen MDmesh

一、本商品被瀏覽0次.

STB21NM60N PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：84 ns
工廠包裝數量：1000
上升時間：15 ns
功率耗散：140 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：12 S
下降時間：31 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.19 Ohms
漏極連續電流：17 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STB21NM60N的詳細信息，包括STB21NM60N廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ