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中文參數如下:
上升時間:9.5 ns
功率耗散:90 W
柵極電荷 Qg:31 nC
下降時間:13 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:D2PAK
安裝風格:SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.18 Ohms
漏極連續電流:13 A
閘/源擊穿電壓:25 V
汲極/源極擊穿電壓:550 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STB18N55M5的詳細信息,包括STB18N55M5廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!