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STB11NM60N-1

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: I2PAK
數量：: 4554
說明：: MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet

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STB11NM60N-1 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：50 ns
上升時間：18.5 ns
功率耗散：90 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：12 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：IPAK
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.45 Ohms
漏極連續電流：10 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STB11NM60N-1的詳細信息，包括STB11NM60N-1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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