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SSS10N60BYDTU

廠家:
  Fairchild Semiconductor
封裝:
 TO-220F
數量:
 8631  
說明:
 MOSFET
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SSS10N60BYDTU-TO-220F圖片

SSS10N60BYDTU PDF參數資料

中文參數如下:

典型關閉延遲時間:185 ns
上升時間:100 ns
功率耗散:50 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:115 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-220F
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.8 Ohms
漏極連續電流:9 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是SSS10N60BYDTU的詳細信息,包括SSS10N60BYDTU廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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