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SQD97N06-6M3L_GE3

廠家:
  Vishay Siliconix
封裝:
 TO-252AA
數(shù)量:
 6336  
說明:
 MOSFET N-CH 60V 97A TO252AA
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SQD97N06-6M3L_GE3-TO-252AA圖片

SQD97N06-6M3L_GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):136W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):6060 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):125 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):6.3 毫歐 @ 25A,10V
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):97A(Tc)
漏源電壓(Vdss):60 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Vishay Siliconix

以上是SQD97N06-6M3L_GE3的詳細(xì)信息,包括SQD97N06-6M3L_GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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