色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SQD50N05-11L-GE3

SQD50N05-11L-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-252
數量：: 8325
說明：: MOSFET 50V 50A 75W

一、本商品被瀏覽0次.

SQD50N05-11L-GE3 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：22.5 ns
上升時間：11.5 ns
功率耗散：75 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：34.6 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：58 S
下降時間：7.5 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
漏極連續電流：50 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：50 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQD50N05-11L-GE3的詳細信息，包括SQD50N05-11L-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：