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SQD40N10-25-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-252
數量：: 2205
說明：: MOSFET 100V 40A 136W 25mohm @ 10V

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SQD40N10-25-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

工廠包裝數量：2000
功率耗散：136 W
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風格：Through Hole
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.025 Ohms
漏極連續電流：40 A
閘/源擊穿電壓：2.5 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQD40N10-25-GE3的詳細信息，包括SQD40N10-25-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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