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SQ4920EY-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SO-8
數量：: 5121
說明：: MOSFET 30V 8A 4.4W

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SQ4920EY-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SQ4920EY-GE3
典型關閉延遲時間：25 ns
上升時間：10 ns
功率耗散：4.4 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：19.7 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：43 S
下降時間：8 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0145 Ohms
漏極連續電流：7.2 A
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQ4920EY-T1-GE3的詳細信息，包括SQ4920EY-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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