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SPP80N06S2-H5

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO220-3-1
數(shù)量:
 2664  
說明:
 
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SPP80N06S2-H5 PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):300W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):5500 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):155 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4V @ 230μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):5.5 毫歐 @ 80A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):80A(Tc)
漏源電壓(Vdss):55 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態(tài):停產
包裝:OptiMOS?
系列:管件
品牌:Infineon Technologies

以上是SPP80N06S2-H5的詳細信息,包括SPP80N06S2-H5廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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