色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SPD04P10P G

SPD04P10P G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-252
數量：: 5759
說明：: MOSFET P-CH 100V 4A

一、本商品被瀏覽0次.

SPD04P10P G PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：SP000212230 SPD04P10PGBTMA1 SPD04P10PGXT
典型關閉延遲時間：14 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：8.6 ns
功率耗散：38 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：4.5 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1000 Ohms
漏極連續電流：4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 100 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是SPD04P10P G的詳細信息，包括SPD04P10P G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ