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SPB80N03S2L-05 G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數量:
 2817  
說明:
 MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
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SPB80N03S2L-05 G PDF參數資料

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中文參數如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4.9 毫歐 @ 55A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:80A
Id 時的 Vgs(th)(最大):2V @ 110µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:89.7nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :3320pF @ 25V
功率 - 最大:167W
安裝類型:表面貼裝

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