色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SPB18P06P G

SPB18P06P G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263
數量：: 3560
說明：: MOSFET P-CH 60V 18.6A

一、本商品被瀏覽0次.

SPB18P06P G PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：SP000102181 SPB18P06PGATMA1 SPB18P06PGXT
典型關閉延遲時間：24.5 ns
工廠包裝數量：1
上升時間：5.8 ns
功率耗散：80 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：11 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.13 Ohms
漏極連續電流：18.6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 60 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是SPB18P06P G的詳細信息，包括SPB18P06P G廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ