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SPB100N03S2L-03 G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：: 1089
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK

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SPB100N03S2L-03 G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C2.7毫歐 @ 80A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs220nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 8180pF @ 25V
功率 - 最大300W
安裝類(lèi)型表面貼裝

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