SP8K31HZGTB

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 8-SOP
數(shù)量：: 9997
說明：: 60V DUAL NCH+NCH POWER MOSFET. S

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SP8K31HZGTB PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：
封裝封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：2W（Ta）
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：250pF @ 10V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：5.2nC @ 5V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：120 毫歐 @ 3.5A，10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：3.5A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：60V
FET 功能：-
配置：2 N-通道（雙）
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Rohm Semiconductor

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