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SIRC18DP-T1-GE3

廠家：: Vishay Siliconix
封裝：: PowerPAK? SO-8
數量：: 6644
說明：: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8

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SIRC18DP-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：
封裝：PowerPAK? SO-8
封裝/外殼：PowerPAK? SO-8
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
同步整流器：54.3W（Tc）
頻率 - 開關：肖特基二極管（體）
電流 - 輸出：5060 pF @ 15 V
電壓 - 輸出（最大值）：+20V，-16V
電壓 - 輸出（最小值/固定）：111 nC @ 10 V
電壓 - 輸入（最大值）：2.4V @ 250μA
電壓 - 輸入（最小值）：1.1 毫歐 @ 15A，10V
輸出數：4.5V，10V
輸出類型：60A（Tc）
拓撲：30 V
輸出配置：MOSFET（金屬氧化物）
功能：N 通道
產品狀態：在售
包裝：TrenchFET? Gen IV
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Vishay Siliconix

以上是SIRC18DP-T1-GE3的詳細信息，包括SIRC18DP-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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