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SIJ800DP-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SO-8
數量：: 882
說明：: MOSFET 40V 9.5mohm @ 10V

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SIJ800DP-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SIJ800DP-GE3
典型關閉延遲時間：45 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：15 ns
功率耗散：4.2 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：15 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerSO-5
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0095 Ohms
漏極連續電流：15.6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIJ800DP-T1-GE3的詳細信息，包括SIJ800DP-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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