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SI9926BDY-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SO-8
數量：: 5544
說明：: MOSFET NCh Dual MOSFET 2.5V

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SI9926BDY-E3 PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：31 ns
商標名：TrenchFET
工廠包裝數量：100
上升時間：50 ns
功率耗散：1.14 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：50 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：20 mOhms
漏極連續電流：6.2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI9926BDY-E3的詳細信息，包括SI9926BDY-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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