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SI8413DB-T1-E1

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 4-XFBGA,CSPBGA
數量:
 657  
說明:
 MOSFET 20V 6.5A 2.77W 48mohm @ 4.5V
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SI8413DB-T1-E1-4-XFBGA,CSPBGA圖片

SI8413DB-T1-E1 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SI8413DB-E1
典型關閉延遲時間:105 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:50 ns
功率耗散:1470 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:50 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:Micro Foot-4
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS(導通):48 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流:4.8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI8413DB-T1-E1的詳細信息,包括SI8413DB-T1-E1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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