色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SI7655DN-T1-GE3

SI7655DN-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? 1212-8S
數量：: 25640
說明：: MOSFET -20V 3.6mOhm@10V 40A P-Ch G-III

一、本商品被瀏覽0次.

SI7655DN-T1-GE3 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：SI7655DN-GE3
功率耗散：57 W
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK 1212-8S
安裝風格：SMD/SMT
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：3.6 mOhms at 10 V
漏極連續電流：- 40 A
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI7655DN-T1-GE3的詳細信息，包括SI7655DN-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1