色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SI7606DN-T1-E3

SI7606DN-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK 1212-8
數量：: 693
說明：: MOSFET 125V 14.5A 52W 108mohm @ 10V

一、本商品被瀏覽0次.

SI7606DN-T1-E3 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：SI7606DN-E3
典型關閉延遲時間：17 ns, 20 ns
商標名：TrenchFET/PowerPAK
工廠包裝數量：3000
上升時間：70 ns, 12 ns
功率耗散：3.8 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：25 ns, 10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK 1212-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.108 Ohms
漏極連續電流：3.9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：125 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI7606DN-T1-E3的詳細信息，包括SI7606DN-T1-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ