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SI7342DP-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SO-8
數量：: 8172
說明：: MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC

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SI7342DP-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8.25 毫歐 @ 15A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：9A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：1.8V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：19nC @ 4.5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：1900pF @ 15V
功率 - 最大：1.8W
安裝類型：表面貼裝

以上是SI7342DP-T1-GE3的詳細信息，包括SI7342DP-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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