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SI7309DN-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? 1212-8
數量：: 6750
說明：: MOSFET 60V 8.0A 19.8W 115mohm @ 10V

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SI7309DN-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SI7309DN-GE3
典型關閉延遲時間：33 ns, 30 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：80 ns, 15 ns
功率耗散：3.2 W
最小工作溫度：- 65 C
下降時間：35 ns, 33 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK 1212-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：115 mOhms
漏極連續電流：3.9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI7309DN-T1-GE3的詳細信息，包括SI7309DN-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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