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SI7137DP-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? SO-8
數量：: 14251
說明：: MOSFET -20V 1.95mOhm@10V 60A P-Ch G-III

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SI7137DP-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SI7137DP-GE3
典型關閉延遲時間：230 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：150 ns
功率耗散：104 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：95 S
下降時間：110 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.95 mOhms at 10 V
漏極連續電流：42 A
閘/源擊穿電壓：+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI7137DP-T1-GE3的詳細信息，包括SI7137DP-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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