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SI7114DN-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 PowerPAK? 1212-8
數(shù)量:
 6156  
說明:
 MOSFET 30V 18.3A 3.8W 7.5mohm @ 10V
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SI7114DN-T1-GE3-PowerPAK? 1212-8圖片

SI7114DN-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

零件號別名:SI7114DN-GE3
典型關閉延遲時間:45 ns
工廠包裝數(shù)量:3000
上升時間:10 ns
功率耗散:1.5 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:10 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK 1212-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):7.5 mOhms
漏極連續(xù)電流:11.7 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI7114DN-T1-GE3的詳細信息,包括SI7114DN-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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