色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SI5999EDU-T1-GE3

SI5999EDU-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? ChipFet 雙
數量：: 8397
說明：: MOSFET 20V 6A DUAL P-CH MOSFET

一、本商品被瀏覽0次.

SI5999EDU-T1-GE3 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：SI5999EDU-GE3
功率耗散：10.4 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：13.2 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：11 S
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK ChipFET Dual
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.047 Ohms
漏極連續電流：- 6 A
汲極/源極擊穿電壓：- 20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI5999EDU-T1-GE3的詳細信息，包括SI5999EDU-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

UPA2826T1S-E2-AT

MCB130N10YA-TP

STK130N4LF7AG

IAUC120N04S6N013ATMA1