色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 電源 > 電源管理 IC > 開關變換器、穩壓器與控制器 > SI5858DU-T1-GE3

SI5858DU-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: PowerPAK? CHIPFET? 單
數量：: 5139
說明：: MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39mohm @ 4.5V

一、本商品被瀏覽0次.

SI5858DU-T1-GE3 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：SI5858DU-GE3
典型關閉延遲時間：40 ns
工廠包裝數量：3000
功率耗散：2.3 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Reel
封裝形式：PowerPAK-8 ChipFET Dual
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：39 mOhms
漏極連續電流：7.2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI5858DU-T1-GE3的詳細信息，包括SI5858DU-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他電源管理 IC產品：

軟開關 PWM 控制器低壓差控制器 - LDO 反饋回路功率控制器功率因數校正 IC 電壓模式 PWM 控制器

開關變換器、穩壓器與控制器最新產品：