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SI5475BDC-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SMD，扁平引線
數(shù)量：: 4680
說明：: MOSFET 12V 6.0A 6.3W 28mohm @ 4.5V

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SI5475BDC-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI5475BDC-GE3
典型關閉延遲時間：62 ns, 65 ns
工廠包裝數(shù)量：3000
上升時間：38 ns, 15 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：70 ns, 72 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：1206-8 ChipFET
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：28 mOhms
漏極連續(xù)電流：7.7 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：12 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI5475BDC-T1-GE3的詳細信息，包括SI5475BDC-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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