色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SI4949EY

SI4949EY

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SOIC-8 Narrow
數量：: 6795
說明：: MOSFET 60/30V

一、本商品被瀏覽0次.

SI4949EY PDF參數資料

中文參數如下：

典型關閉延遲時間：36 ns, 25 ns
工廠包裝數量：100
上升時間：11 ns, 13 ns
功率耗散：2.4 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：11 ns, 15 ns
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.055 Ohms
漏極連續電流：4.5 A, - 5.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V, 30 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：否
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4949EY的詳細信息，包括SI4949EY廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ