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SI4943DY

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SO-8
數量：: 2511
說明：: MOSFET 20V 8.4A 2W

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SI4943DY PDF參數資料

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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：56 ns
工廠包裝數量：100
上升時間：24 ns
功率耗散：1.1 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：24 ns
封裝形式：SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：19 mOhms
漏極連續電流：6.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

以上是SI4943DY的詳細信息，包括SI4943DY廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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