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SI4914DY-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 4608
說(shuō)明：: MOSFET DUAL N-CH 30V (D-S) W/SCHOTTKY

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SI4914DY-T1-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SI4914DY-E3
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：27 ns at Channel 1, 35 ns at Channel 2
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時(shí)間：13 ns
功率耗散：1.1 W, 1.16 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：13 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：23 mOhms, 20 mOhms
漏極連續(xù)電流：5.5 A, 5.7 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4914DY-T1-E3的詳細(xì)信息，包括SI4914DY-T1-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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