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SI4866DY-T1

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 SOIC-8 Narrow
數(shù)量:
 6738  
說明:
 MOSFET 12V 17A 1.6W
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SI4866DY-T1-SOIC-8 Narrow圖片

SI4866DY-T1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:82 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時間:32 ns
功率耗散:1.6 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:21 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :80 S
下降時間:35 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):5.5 mOhms
漏極連續(xù)電流:17 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:12 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4866DY-T1的詳細信息,包括SI4866DY-T1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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