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SI4836DY-T1-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 8-SOIC
數量:
 612  
說明:
 MOSFET 12 Volt 13 Amp 1.0W
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SI4836DY-T1-E3-8-SOIC圖片

SI4836DY-T1-E3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SI4836DY-E3
典型關閉延遲時間:190 ns
商標名:TrenchFET
工廠包裝數量:2500
上升時間:41 ns
功率耗散:1.6 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:75 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :80 S
下降時間:115 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):3 mOhms
漏極連續電流:17 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:12 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4836DY-T1-E3的詳細信息,包括SI4836DY-T1-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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