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SI4833ADY-T1-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
數(shù)量:
 3807  
說明:
 MOSFET 30 Volt 4.6 Amp 2.75
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SI4833ADY-T1-E3-8-SOIC(0.154

SI4833ADY-T1-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號別名:SI4833ADY-E3
典型關閉延遲時間:26 ns, 19 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時間:59 ns, 11 ns
功率耗散:1.93 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:59 ns, 11 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):72 mOhms
漏極連續(xù)電流:3.85 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4833ADY-T1-E3的詳細信息,包括SI4833ADY-T1-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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