色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SI4776DY-T1-GE3

SI4776DY-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC
數量：: 2871
說明：: MOSFET 30 Volts 11.9 Amps 4.1 Watts

一、本商品被瀏覽0次.

SI4776DY-T1-GE3 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：SI4776DY-GE3
典型關閉延遲時間：11 ns
上升時間：11 ns
功率耗散：4.1 W
柵極電荷 Qg：11.6 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：30 S
下降時間：6 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8
安裝風格：SMD/SMT
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.013 Ohms
漏極連續電流：11.9 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4776DY-T1-GE3的詳細信息，包括SI4776DY-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ