色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

SI4480DY-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 SOIC-8 Narrow
數量:
 3879  
說明:
 MOSFET 80V 6.0A 2.5W 35mohm @ 10V
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
暫無電子元件圖

SI4480DY-T1-GE3 PDF參數資料

PDF點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:

零件號別名:SI4480DY-GE3
典型關閉延遲時間:52 ns
工廠包裝數量:2500
上升時間:12.5 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:22 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):35 mOhms
漏極連續電流:6 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:80 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4480DY-T1-GE3的詳細信息,包括SI4480DY-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板: 林甸县| 延吉市| 门头沟区| 新密市| 乌鲁木齐县| 静海县| 武穴市| 通城县| 蒙阴县| 天全县| 朝阳县| 永昌县| 建阳市| 寿阳县| 镇巴县| 邳州市| 洛宁县| 苗栗县| 大竹县| 文成县| 禹州市| 广水市| 安岳县| 扶绥县| 蒲城县| 陆丰市| 长泰县| 日土县| 唐河县| 墨脱县| 文水县| 米易县| 牙克石市| 宜良县| 镇赉县| 新绛县| 临安市| 盐源县| 嘉定区| 论坛| 平顶山市|