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SI4435DYTR

廠家：
  International Rectifier
封裝：
 8-SO
數量：
 3870  
說明：
 MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
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SI4435DYTR-8-SO圖片

SI4435DYTR PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點邏輯電平門
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C20 毫歐 @ 8A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時的 Vgs(th)（最大）1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs60nC @ 10V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C8A
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) 2320pF @ 15V
功率 - 最大2.5W
安裝類型表面貼裝

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