色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > SI4435BDY-T1-GE3

SI4435BDY-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SOIC-8 Narrow
數量：: 3519
說明：: MOSFET 30V 9.1A 2.5W 20mohm @ 10V

一、本商品被瀏覽0次.

SI4435BDY-T1-GE3 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

零件號別名：SI4435BDY-GE3
典型關閉延遲時間：110 ns
工廠包裝數量：2500
上升時間：15 ns
功率耗散：1.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：15 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOIC-8 Narrow
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：20 mOhms
漏極連續電流：7 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4435BDY-T1-GE3的詳細信息，包括SI4435BDY-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：

IAUC120N04S6N013ATMA1

TK1R4S04PB,LXHQ