色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

SI4412DY-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 SOIC-8 Narrow
數量:
 3123  
說明:
 MOSFET 30V 7A 2.5W
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
暫無電子元件圖

SI4412DY-E3 PDF參數資料

PDF點擊下載PDF參數資料
中文參數如下:

典型關閉延遲時間:38 ns
上升時間:12 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:19 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):28 mOhms
漏極連續電流:7 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4412DY-E3的詳細信息,包括SI4412DY-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板: 万山特区| 泽普县| 福鼎市| 嘉峪关市| 上犹县| 老河口市| 潢川县| 海盐县| 嵊州市| 东兴市| 霞浦县| 富阳市| 安徽省| 清原| 景谷| 理塘县| 九寨沟县| 石家庄市| 个旧市| 原阳县| 托克托县| 丰都县| 宾川县| 尤溪县| 新邵县| 碌曲县| 盐城市| 建宁县| 屯留县| 吉林省| 布尔津县| 瑞安市| 石河子市| 祁东县| 临泉县| 永州市| 吉木乃县| 原平市| 龙泉市| 大理市| 阿巴嘎旗|