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SI4368DY-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 SO-8
數(shù)量:
 2862  
說明:
 MOSFET 30V 25A 3.5W
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SI4368DY-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:172 ns
商標(biāo)名:TrenchFET
工廠包裝數(shù)量:100
上升時(shí)間:20 ns
功率耗散:1.6 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:20 ns
封裝形式:SO-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):3.2 mOhms
漏極連續(xù)電流:17 A
閘/源擊穿電壓:+/- 12 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:過渡期間
制造商:Vishay

以上是SI4368DY-E3的詳細(xì)信息,包括SI4368DY-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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