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SI4190DY-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
數(shù)量：: 1296
說明：: MOSFET N-CHANNEL 100-V(D-S)

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SI4190DY-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SI4190DY-GE3
功率耗散：7.8 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：38.6 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：58 S
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：8.8 mOhms
漏極連續(xù)電流：20 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI4190DY-T1-GE3的詳細信息，包括SI4190DY-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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