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SI4190DY-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
數(shù)量:
 1296  
說明:
 MOSFET N-CHANNEL 100-V(D-S)
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SI4190DY-T1-GE3-8-SOIC(0.154

SI4190DY-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

零件號別名:SI4190DY-GE3
功率耗散:7.8 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:38.6 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :58 S
包裝形式:Reel
封裝形式:SO-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):8.8 mOhms
漏極連續(xù)電流:20 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Vishay

以上是SI4190DY-T1-GE3的詳細信息,包括SI4190DY-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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