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SI4110DY-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 8-SOIC
數量:
 2601  
說明:
 MOSFET 80V 17.3A 7.8W 1.3mohm @ 10V
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SI4110DY-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SI4110DY-GE3
典型關閉延遲時間:22 ns
工廠包裝數量:2500
上升時間:10 ns
功率耗散:3.6 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:8 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOIC-8 Narrow
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.013 Ohms
漏極連續電流:11.7 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:80 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4110DY-T1-GE3的詳細信息,包括SI4110DY-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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