中文參數如下:
工廠包裝數量:3000
功率耗散:1.15 W
柵極電荷 Qg:2.1 nC, 2.7 nC
包裝形式:Reel
封裝形式:TSOP-6
安裝風格:SMD/SMT
配置:Dual
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.085 Ohms, 0.16 Ohms
漏極連續電流:2.5 A, 1.8 A
汲極/源極擊穿電壓:30 V, 20 V
晶體管極性:N and P-Channel
RoHS:否
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是SI3872DV-T1的詳細信息,包括SI3872DV-T1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!