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SI3586DV-T1-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 6-TSOP
數量：: 243
說明：: MOSFET N&P-CH 20V (D-S)

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SI3586DV-T1-E3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SI3586DV-E3
典型關閉延遲時間：25 ns at N Channel, 55 ns at P Channel
工廠包裝數量：3000
上升時間：52 ns at N Channel, 55 ns at P Channel
功率耗散：830 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：52 ns at N Channel, 55 ns at P Channel
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOP-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.06 Ohms, 0.11 Ohms
漏極連續電流：2.9 A, 2.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：+/- 20 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI3586DV-T1-E3的詳細信息，包括SI3586DV-T1-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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