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SI3493DV-T1

廠家:
  Vishay
封裝:
 TSOP-6
數量:
 2169  
說明:
 MOSFET 20V 7.0A 1.1W
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SI3493DV-T1-TSOP-6圖片

SI3493DV-T1 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:125 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:40 ns
功率耗散:1.1 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:40 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TSOP-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.027 Ohms
漏極連續電流:5.3 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI3493DV-T1的詳細信息,包括SI3493DV-T1廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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