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SI3477DV-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SOT-23-6 細型，TSOT-23-6
數量：: 204
說明：: MOSFET -12V 17.5mOhm@4.5V 8A P-Ch G-III

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SI3477DV-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

零件號別名：SI3477DV-GE3
典型關閉延遲時間：65 nS
上升時間：10 nS
功率耗散：4.2 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：28.3 nC
正向跨導 gFS（最大值/最小值）：30 S
下降時間：30 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：TSOP-6
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain
電阻汲極/源極 RDS（導通）：17.5 mOhms at 4.5 V
漏極連續電流：- 8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 10 V
汲極/源極擊穿電壓：- 12 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI3477DV-T1-GE3的詳細信息，包括SI3477DV-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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