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SI3464DV-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: 6-TSOP
數量：: 788
說明：: MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP

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SI3464DV-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：24 毫歐 @ 7.5A, 4.5V
漏極至源極電壓(Vdss)：20V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：8A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：18nC @ 5V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：1065pF @ 10V
功率 - 最大：3.6W
安裝類型：表面貼裝

以上是SI3464DV-T1-GE3的詳細信息，包括SI3464DV-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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