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SI3460DV-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 6-TSOP
數量:
 3168  
說明:
 MOSFET 20V 6.8A 2.0W 38mohm @ 1.8V
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SI3460DV-T1-GE3-6-TSOP圖片

SI3460DV-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SI3460DV-GE3
功率耗散:1.1 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:TSOP-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.027 Ohms
漏極連續電流:6.8 A
閘/源擊穿電壓:+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓:20 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI3460DV-T1-GE3的詳細信息,包括SI3460DV-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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