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SI3430DV-T1-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 SOT-23-6 細型,TSOT-23-6
數量:
 8604  
說明:
 MOSFET 100V 2.4A 2.0W 170mohm @ 10V
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SI3430DV-T1-GE3-SOT-23-6 細型,TSOT-23-6圖片

SI3430DV-T1-GE3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SI3430DV-GE3
典型關閉延遲時間:16 ns
工廠包裝數量:3000
功率耗散:1.14 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:TSOP-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.17 Ohms
漏極連續電流:2.4 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI3430DV-T1-GE3的詳細信息,包括SI3430DV-T1-GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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