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SI2319DS-T1-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
數量:
 6795  
說明:
 MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V
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SI2319DS-T1-E3-TO-236-3,SC-59,SOT-23-3圖片

SI2319DS-T1-E3 PDF參數資料

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中文參數如下:

零件號別名:SI2319DS-E3
典型關閉延遲時間:25 ns
工廠包裝數量:3000
上升時間:15 ns
功率耗散:750 mW
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:15 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-236-3
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.082 Ohms
漏極連續電流:2.3 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:40 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI2319DS-T1-E3的詳細信息,包括SI2319DS-T1-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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